| 型号： | HGT1S20N60C3S9A | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Fairchild Semiconductor | 描述： | IGBT UFS N-CHAN 600V TO-263AB |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 |
| HGT1S20N60C3S9A PDF |  |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装 | 800 |
| 系列 | - |
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开） | 1.8V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 45A |
| 功率 - 最大 | 164W |
| 输入类型 | 标准 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | TO-263AB |
| 包装 | 带卷 (TR) |