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参数目录39868
> HGT1S20N60C3S9A IGBT UFS N-CHAN 600V TO-263AB
型号:
HGT1S20N60C3S9A
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
IGBT UFS N-CHAN 600V TO-263AB
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
HGT1S20N60C3S9A PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
800
系列
-
IGBT 类型
-
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
600V
Vge, Ic时的最大Vce(开)
1.8V @ 15V,20A
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
45A
功率 - 最大
164W
输入类型
标准
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
TO-263AB
包装
带卷 (TR)
查看HGT1S20N60C3S9A代理商
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